更新日期：2022年1月20日

更新概要如下：

AN135_應(yīng)用筆記_ES7P169C_ES7P0693_ES7P0031  V1.5
1.新增LRC應(yīng)用說(shuō)明
 
 
------------------------------------------------------------------------
AN073_應(yīng)用筆記_HR8P506_ES8H636_ES8H564  V1.14
1.增加SPI主機(jī)編程操作注意項(xiàng)
2.補(bǔ)充低功耗程序設(shè)計(jì)說(shuō)明
3.新增系統(tǒng)時(shí)鐘濾波說(shuō)明
 
 
------------------------------------------------------------------------
AN095_應(yīng)用筆記_ES8P508x_ES8H508x_ES8H507x_ES8H69x  V1.08
1.增加SPI主機(jī)編程操作注意項(xiàng)
2.補(bǔ)充低功耗程序設(shè)計(jì)說(shuō)明
3.修改定時(shí)器庫(kù)，在捕獲定時(shí)器初始化函數(shù)中加入捕獲重載定時(shí)器使能位
 
 
------------------------------------------------------------------------
AN135_Examples_ES7P169C_ES7P0693_ES7P0031 V1.2
1.優(yōu)化WDT例程，在上電快速翻轉(zhuǎn)過(guò)程中不斷清狗，防止溢出復(fù)位；
2.增加I2C_BOOT例程；
3.增加Uart_Boot_vector_interrupt例程；
4.iap_flash例程優(yōu)化：連續(xù)寫(xiě)讀操作地址依次+2；
5._Bootloader_Demo優(yōu)化：所有boot程序中的Write_Cont函數(shù)改為一次性寫(xiě)入32位數(shù)據(jù)。
6.iap_dataflash例程優(yōu)化：讀操作結(jié)束后DATARDEN清0。
 
 
------------------------------------------------------------------------
AN074_Examples_HR8P506_ES8H636_ES8H564 V2.09
1.增加單電池供電的深度休眠例程；
2.修改RTC庫(kù)寫(xiě)年錯(cuò)誤bug。
 
------------------------------------------------------------------------
AN092_Examples_ES8P508x_ES8H508x_ES8H507x_ES8H69x  V1.09
1.去除IWDT中斷使能操作，并刪除IWDT中斷例程；在IWDT初始化庫(kù)函數(shù)中判斷IWDT配置字是否使能，使能則返回。
2.去除單電源供電休眠例程中的LVD檢測(cè)和IWDT喚醒功能。