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產(chǎn)品ES7P202x、ES7P2032數(shù)據(jù)手冊更新版本
時(shí)間:2019-11-26 文章來源:EMSSMI 瀏覽次數(shù):6138
變更項(xiàng)目:ES7P202x_Datasheet_C
版本號:V1.8
變更內(nèi)容:
1. 添加了中斷使能位GIE/GIEL位的清零和置1操作說明;
2. 增加了封裝尺寸的補(bǔ)充說明,更新QFN28封裝的散熱片尺寸參數(shù);
3. 在ADC概述章節(jié),添加VDD/4電源分壓比精度為±1.5%;
4. 添加PC0端口的弱上拉使能控制方式的說明,增強(qiáng)IO端口灌電流和拉電流參數(shù)特性表格描述;
5. 更新系統(tǒng)時(shí)鐘后分頻比選擇位POSDIVS<2:0>的復(fù)位默認(rèn)值為000;
6. 增強(qiáng)關(guān)于使用T10作為IAP頁擦除和編程超時(shí)計(jì)數(shù)器的具體用法描述;
7. 補(bǔ)充描述I2CRST軟件復(fù)位的寄存器和控制位,修改I2CRB寄存器為只讀屬性;
8. 對T1n/T2n的定時(shí)器模式和計(jì)數(shù)器模式時(shí)序圖進(jìn)行補(bǔ)充完善,對T2n的外部計(jì)數(shù)時(shí)鐘邊沿進(jìn)行補(bǔ)充描述。
變更項(xiàng)目:ES7P2032_Datasheet_C
版本號:V1.4
變更內(nèi)容:
1. 新增SOP16封裝信息;
2. 更新中斷內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖及中斷源最多支持個(gè)數(shù);
3. 更新TKFCTL寄存器位的相關(guān)描述;
4. 更新WDTEN和SWDTEN的配置說明;
5. 更新QFN28封裝的散熱片尺寸參數(shù)。
變更時(shí)間:2019年11月26日